Phase12 熱阻測(cè)試儀主要用于測(cè)試二極管，三極管，線形調(diào)壓器，可控硅，LED，MOSFET，MESFET ,IGBT，IC 等分立功率器件的熱阻測(cè)試及分析。
PHASE12可以測(cè)試Rja，Rjc，Rjb Rjl 的熱阻(測(cè)試原理符合JEDEC51-1定義的動(dòng)態(tài)及靜態(tài)測(cè)試方法)
圖一
Phascl2測(cè)試來(lái)的數(shù)據(jù)，將產(chǎn)生上圖。左上角的數(shù)字說(shuō)明這個(gè)器件有四個(gè)層次(為了可以清楚的了解不同層次，可以將這個(gè)圖轉(zhuǎn)換成圖三)。其中第一個(gè)是芯片下的粘接層的阻抗值，后面Tau是完成的測(cè)試時(shí)間，四個(gè)層次的阻抗值之和就是這個(gè)器件的熱阻值。并且每一個(gè)拐點(diǎn)都表明熱進(jìn)入了一個(gè)新的層次。每個(gè)層次的數(shù)據(jù)將表明這個(gè)器件不同層向外散熱的好壞，對(duì)不同廠家同類產(chǎn)品而言，可以讓我們選擇熱阻值非常好的廠家;同時(shí)它也可以檢測(cè)同一廠家，同類產(chǎn)品，不同批次質(zhì)量的差異，從而評(píng)測(cè)出該廠家生產(chǎn)工藝的穩(wěn)定性。
1)瞬態(tài)阻抗(Thermal lmpedance)測(cè)試，可以得到從開始加熱到結(jié)溫達(dá)到穩(wěn)定這一過(guò)程中的瞬態(tài)阻抗數(shù)據(jù)。見上圖
2)穩(wěn)態(tài)熱阻(Thermal Resistance)各項(xiàng)參數(shù)的測(cè)試，其包括: Rja,Rjb,Rjc,Rjl，當(dāng)器件在給一定的工作電流后。熱量不斷地向外擴(kuò)散，最后達(dá)到了熱平衡，這時(shí)得到的結(jié)果是穩(wěn)態(tài)熱阻值。在沒有達(dá)到熱平衡之前測(cè)試到的是熱阻抗。
3)可以得到用不同占空比方波測(cè)試時(shí)的阻抗與熱阻值。
圖二
4)內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)與其散熱能力的相關(guān)性分析(Structure Function)，可以通過(guò)將類似的圖一轉(zhuǎn)換成下面所
示的曲線分析圖(熱容與熱阻關(guān)系圖)，這樣更能體現(xiàn)不同結(jié)構(gòu)下熱阻，以LED為例從圖中可以看出LED器什散熱能力的瓶頸所在，對(duì)LED封裝T藝的改進(jìn)和封裝材料的選擇有很大幫助。下圖為兩種不同封裝結(jié)構(gòu)的LED樣品的分析圖。
不只LED器什可以得到這個(gè)分析圖，而且其他的器什也可以得到這個(gè)圖。并且也可以得到這種分析。
圖三
從圖中可以看出黑色曲線的LED熱阻低于綠色曲線的LED熱阻，這也從客戶那里得到確認(rèn)，黑色山線的LED在芯片粘接與散熱方面的工藝得到很大改進(jìn)。
5)裝片質(zhì)量的分析(Die Attachment Quality Evaluation).
主要測(cè)試器件的粘接處的熱隊(duì)抗值，如果有粘接層有氣孔，那么傳熱就要受隊(duì)，這樣將導(dǎo)致芯片的溫度上升，因此這個(gè)功能能夠衡量粘接工藝的穩(wěn)定性。
